长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022
设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用了分子束外延方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料，激光器模块采用6只准直的线阵半导体激光器，器件腔长为1.2 mm，单个发光单元宽度为100 μm，发光单元周期为500 μm，单线阵器件包括19个发光单元，单线阵器件的连续输出功率为50 W，每只单线阵器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称化变换实现了多线阵器件输出的高光束质量功率合成，采用平凸柱透镜实现了合束光束与400 μm芯径、数值孔径0.22石英光纤的高效率耦合，整体耦合效率达到65%，最大耦合输出功率达到195 W，光纤端面功率密度达到1.55×105 W/cm2.
线阵半导体激光器 光纤耦合 空间合束 光束变换 Linear laser diode array Fiber coupling Space beam combination Beam transforming
长春理工大学 光电功能材料教育部工程研究中心, 长春 130022
采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Mg0.33Zn0.67O薄膜,研究了Mg0.33Zn0.67O薄膜的结构和光学性能.结果表明,Si(100)衬底上Mg0.33Zn0.67O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.03 nm.薄膜呈现优异的半导体特性,激子吸收峰位于297 nm,禁带宽度约为4.3 eV.薄膜平均粒径约为20 nm.薄膜在深紫外激发下的荧光发射位于368 nm.
Mg0.33Zn0.67O薄膜 射频磁控溅射 硅衬底 紫外发光 Mg0.33Zn0.67O film RFMS Silicon substrate Ultraviolet luminescence
1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
2 中国人民解放军装甲兵技术学院,长春 130117
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件.对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力.实验制备了出光孔径同为200 μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试.结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43 Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095 ℃/mW,在80 ℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件.
高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 径向桥 热拐点 High-power semiconductor laser VCSEL Radial brigde Thermal rollover
